%0 Journal Article
%T Cubic MgxZn1-xO Films Grown on Si (111)<br>Si(111)衬底上生长的立方MgxZn1-x晶体薄膜
%A QIU Dong-Jiang
%A WU Hui-Zhen
%A CHEN Nai-Bo
%A TIAN Wei-Jian
%A <br>邱东江
%A 吴惠桢
%A 陈奶波
%A 田维坚
%J 无机材料学报
%D 2003
%I Science Press
%X 在国际上第一次采用电子束反应蒸发法在Si(111)衬底上生长了MgxZn1-xO晶体薄膜。能量色散X射线(EDX)特征能谱及X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈立方结构，薄膜的晶面取向依赖于生长温度，在200℃温度下生长得到高度(200)取向的立方MgxZn1-xO薄膜，温度过高时得到多晶薄膜。对高度(200)取向的立方MgxZn1-xO薄膜的光荧光激发谱(PLE)分析表明其光学带隙为4．20eV，相对于MgO的带隙红移量为3．50eV。XRD分析还表明立方MgxZn1-xO薄膜与MgO衬底之间的晶格失配仅为0．16％。这使得高质量立方MgxZn1-xO多量子阱材料的制备成为可能。
%K reactive e-beam evaporation
%K cubic MgXZn1-xO film<br>电子束反应蒸镀
%K 立方MgxZn1-xO薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=AC66E17057F87146&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=13553B2D12F347E8&iid=B31275AF3241DB2D&sid=09D89DB7E3DF529E&eid=77586D59F496BF38&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=17