%0 Journal Article
%T Thermal Stability of Atomic Layer Deposition Al2O3 Thin Films<br>原子层淀积 Al2O3薄膜的热稳定性研究
%A LU Hong-Liang
%A XU Min
%A DING Shi-Jin
%A REN Jie
%A ZHANG Wei
%A <br>卢红亮
%A 徐敏
%A 丁士进
%A 任杰
%A 张卫
%J 无机材料学报
%D 2006
%I Science Press
%X 以Al（CH3）3和H2O为反应源，在270℃下用原子层淀积（ALD）技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜．采用X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）和傅立叶变换红外光谱（FTIR）等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究．结果表明刚淀积的薄膜中含有少量A-OH基团，高温退火后，Al-OH基团几乎消失，这归因于Al-OH基团之间发生反应而脱水．退火后的薄膜中O和Al元素的相对比例（1．52）比退火前的（1．57）更接近化学计量比的Al2O3．FTIR分析表明，在刚淀积的Al2O3中有少量的-CH3存在，CH3含量会随热处理温度的升高而减少．此外，在高温快速热退火后，Al2O3薄膜的表面平均粗糙度（RMS）明显改善，900℃热退火后其RMS达到1．15nm．
%K Al2O3 thin film
%K atomic layer deposition
%K X-ray photoemission spectroscopy (XPS)<br>Al2O3薄膜
%K 原子层淀积(ALD)
%K X射线光电子能谱(XPS)
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=E29C221634645081&yid=37904DC365DD7266&vid=659D3B06EBF534A7&iid=94C357A881DFC066&sid=CBB937218406B640&eid=966030800FCA5D46&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=25