%0 Journal Article
%T S substituting for P point defect-induced laser damage in KDP crystals<br>不同荷电态替位缺陷S_p对磷酸二氢钾激光损伤的影响
%A Wang Kun-Peng
%A Yan Shi
%A <br>王坤鹏
%A 闫石
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 采用第一性原理方法计算了KH2PO4（KDP）晶体中各种荷电态的硫取代磷替位缺陷（SP）的几何驰豫构型及电子结构.讨论了该缺陷形成后电荷密度的重新分布、相应的电子态密度、能带结构等性质.主要结果为：虽然中性态、±1以及＋2荷电态的Sp替位缺陷并没有在带隙中形成占据态,但它们削弱了SO4基团与周围原子的结合力,从而形成相对孤立的SO4基团,相对于无缺陷晶体而言,这种局域松散的结构有利于杂质原子的填隙,因而会间接地影响该材料的抗激光损伤能力.-2荷电态的Sp替位缺陷则在带隙中形成能够容纳4个电子的未占据态,使KDP晶体的带隙大大降低,提高了光吸收能力,降低了激光损伤阈值,同时该荷电态导致SO4四面体畸变严重,甚至使得周围的两个O—H键断裂,从而造成微结构的几何损伤.以上结果清楚地阐明了硫酸根影响KDP激光损伤阈值的微观物理背景.
%K KDP crystals
%K S substituting for P point defects
%K laser-induced damage
%K ab initio<br>光学材料
%K 晶体缺陷
%K 激光损伤
%K 第一性原理计算
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F437B1BF01E7F4864ECADE2CEFE5AC9C&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=820E908645A33B25&eid=10A3A339744B6801&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=11