%0 Journal Article
%T Influences of deposition rate in second stage on the Cu(In,Ga)Se2 thin film and device prepared by low-temperature process<br>Stage2沉积速率对低温生长CIGS薄膜特性及器件的影响
%A Li Zhi-Guo
%A Liu Wei
%A He Jing-Jing
%A Li Zu-Liang
%A Han An-Jun
%A Zhang Chao
%A Zhou Zhi-Qiang
%A Zhang Yi
%A Sun Yun
%A <br>李志国
%A 刘玮
%A 何静婧
%A 李祖亮
%A 韩安军
%A 张超
%A 周志强
%A 张毅
%A 孙云
%J 物理学报
%D 2013
%I 
%X 研究了三步法第二步沉积速率对低温生长Cu(In,Ga)Se2薄膜结构、 电学特性和器件特性的影响. 通过改变第二步沉积速率发现, 提高沉积速率可以显著促进薄膜晶粒生长, 提高晶粒紧凑程度降低晶界复合, 同时有效改善两相分离现象, 提高电池的开路电压和短路电流, 有助于Cu(In,Ga)Se2电池光电转换效率的提高. 但同时研究表明, 随着第二步沉积速率的增加, 会促进暂态Cu2-xSe晶粒的生长, 引起Cu(In,Ga)Se2薄膜表面粗糙度增大, 并阻碍Na向Cu(In,Ga)Se2薄膜表面的扩散, 造成施主缺陷钝化效应降低, 薄膜载流子浓度下降和电阻率升高, 且过高的沉积速率会引起电池内部复合增加并产生分流路径, 造成开路电压下降进而引起电池效率恶化. 最终, 通过最佳化第二步沉积速率, 在衬底温度为420℃时, 得到最高转换效率为11.24%的Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池.
%K Cu(In
%K Ga)Se2(CIGS)
%K solar cells
%K deposition rates
%K low-temperature growth<br>Cu(In
%K Ga)Se2(CIGS)
%K 太阳电池
%K 沉积速率
%K 低温生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=96293AEB9294B34DCFEEFE8FCD62ED69&yid=FF7AA908D58E97FA&iid=38B194292C032A66&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0