%0 Journal Article
%T The variations in composition and bonding configuration of SiNx film under high annealing temperature treatment<br>高温退火处理下SiNx薄膜组成及键合结构变化
%A Jiang Li-Hu
%A Zeng Xiang-Bin
%A Zhang Xiao
%A <br>姜礼华
%A 曾祥斌
%A 张笑
%J 物理学报
%D 2012
%I 
%X 采用等离子增强化学气相沉积法, 以氨气和硅烷为反应气体, p型单晶硅为衬底, 低温下(200 ℃)制备了非化学计量比氮化硅(SiNx)薄膜. 在N2氛围中, 于500-1100 ℃范围内对薄膜进行热退火处理. 室温下分别使用Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱技术和X射线光电子能谱(XPS)技术测量未退火以及退火处理后SiNx薄膜的Si-N, Si-H, N-H键键合结构和Si 2p, N 1s电子结合能以及薄膜内N和Si原子含量比值R的变化. 详细讨论了不同温度退火处理下SiNx薄膜的FTIR和XPS光谱演化同薄膜内Si, N, H原子间键合方式变化之间的关系. 通过分析FTIR和XPS光谱发现退火温度低于800 ℃时, SiNx薄膜内Si-H和N-H键断裂后主要形成Si-N键; 当退火温度高于800 ℃时薄膜内Si-H和N-H键断裂利于N元素逸出和Si纳米粒子的形成; 当退火温度达到1100 ℃时N2与SiNx薄膜产生化学反应导致薄膜内N和Si原子含量比值R增加. 这些结果有助于控制高温下SiNx薄膜可能产生的化学反应和优化SiNx薄膜内的Si纳米粒子制备参数.
%K SiNx film
%K Fourier transform infrared spectroscopy
%K X-ray photoelectron spectroscopy
%K bonding configurations<br>SiNx薄膜
%K Fourier变换红外吸收光谱
%K X射线光电子能谱
%K 键合结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=9903A07B9322879A464349CA33C4EDEB&yid=99E9153A83D4CB11&vid=1D0FA33DA02ABACD&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=82E6236781DCBC94&eid=82E6236781DCBC94&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=24