%0 Journal Article
%T Growth mechanism and optoelectronic properties of vanadium oxide films prepared by Sol-Gel<br>溶胶凝胶制备氧化钒薄膜的生长机理及光电特性
%A He Qiong
%A Xu Xiang-Dong
%A Wen Yue-Jiang
%A Jiang Ya-Dong
%A Ao Tian-Hong
%A Fan Tai-Jun
%A Huang Long
%A Ma Chun-Qian
%A Sun Zi-Qiang
%A <br>何琼
%A 许向东
%A 温粤江
%A 蒋亚东
%A 敖天宏
%A 樊泰君
%A 黄龙
%A 马春前
%A 孙自强
%J 物理学报
%D 2013
%I 
%X 采用溶胶凝胶法, 在不同的退火温度下制备了不同的氧化钒薄膜. 利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、高阻仪、紫外-可见分光光度计和傅里叶红外光谱仪等, 对薄膜的形貌、晶态、电学和光学特性进行了分析. 结果表明, 溶胶凝胶法获取V2O5薄膜的最佳退火温度为430 ℃, 低于此温度不利于使有机溶剂充分分解, 高于此温度则V–O键发生裂解、形成更多的低价态氧化钒. 本文制备的氧化钒薄膜具有较高的电阻温度系数和光吸收率, 适合应用在非制冷红外探测器中. 本文揭示了溶胶凝胶法制备氧化钒薄膜的生长机理.
%K vanadium oxide films
%K Sol-Gel
%K optoelectonic properties
%K growth mechanism<br>氧化钒薄膜
%K 溶胶凝胶
%K 光电特性
%K 生长机理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=164B94149555464385E943714CD434D0&yid=FF7AA908D58E97FA&iid=94C357A881DFC066&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0