%0 Journal Article
%T 单轴〈111〉应力硅价带结构计算
%A 马建立
%A 张鹤鸣
%A 宋建军
%A 王晓艳
%A 王冠宇
%A 徐小波
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构, 并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较. 给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况. 计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致. 拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考.
%K 单轴应力硅
%K k·p法
%K 价带结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=7FF6FFF8EEC3AE33025A063A81D70690&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=5D311CA918CA9A03&sid=2481895E6051A7E4&eid=2481895E6051A7E4&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=19