%0 Journal Article
%T The high efficiency sub-micrometer Cu(In, Ga)Se2 solar cell prepared on low temperature<br>低温超薄高效Cu(In, Ga)Se2太阳电池的实现
%A Han An-Jun
%A Sun Yun
%A Li Zhi-Guo
%A Li Bo-Yan
%A He Jing-Jing
%A Zhang Yi
%A Liu Wei
%A <br>韩安军
%A 孙云
%A 李志国
%A 李博研
%A 何静靖
%A 张毅
%A 刘玮
%J 物理学报
%D 2013
%I 
%X 衬底温度保持恒定, 在Se气氛下按照一定的元素配比顺序蒸发Ga, In, Cu制备厚度约为0.7 μrm的Cu(In0.7Ga0.3)Se2 (CIGS)薄膜. 利用X射线衍射仪分析薄膜的晶体结构及物相组成, 扫描电子显微镜表征薄膜形貌及结晶质量, 二次离子质谱仪测试薄膜内部元素分布, 拉曼散射谱 分析薄膜表面构成, 带积分球附件的分光光度计测量薄膜光学性能. 研究发现在Ga-In-Se预制层内, In主要通过晶界扩散引起Ga/(Ga+In)分布均匀化. 衬底温度高于450 ℃时, 薄膜呈现单一的Cu(In0.7Ga0.3)Se2相; 低于400℃, 薄膜存在严重的Ga的两相分离现象, 且高含Ga相主要存在于薄膜的上下表面; 低于300 ℃, 薄膜结晶质量进一步恶化. 薄膜表层的高含Ga相Cu(In0.5Ga0.5)Se2以小晶粒形式均匀分布于薄膜表面, 增加了薄膜的粗糙度, 在电池内形成陷光结构, 提高了超薄电池对光的吸收. 加上带隙值较小的低含Ga相的存在, 使电池短路电流密度得到较大改善. 衬底温度在550 ℃–350 ℃变化时, 短路电流密度JSC是影响超薄电池转换效率的主要因素; 而衬底温度Tsub低于300 ℃时, 开路电压VOC和填充因子FF降低已成为电池性能减退的主要原因. Tsub为350 ℃时制备的0.7 μm左右的超薄CIGS电池转换效率达到了10.3%.
%K Cu(In
%K Ga)Se2 film
%K substrate temperature
%K thinned
%K solar cell<br>Cu(In
%K Ga)Se2薄膜
%K 衬底温度
%K 超薄
%K 太阳电池
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=530695581BF8578432DB941BA42846D7&yid=FF7AA908D58E97FA&iid=E158A972A605785F&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0