%0 Journal Article
%T Improved base-collector depletion charge and capacitance model for SiGe HBT on thin-film SOI<br>薄膜SOI上SiGe HBT集电结耗尽电荷和电容改进模型
%A Xu Xiao-Bo
%A Zhang He-Ming
%A Hu Hui-Yong
%A <br>徐小波
%A 张鹤鸣
%A 胡辉勇
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 文章研究了SOI衬底上SiGe npn异质结晶体管集电结耗尽电荷和电容.根据器件实际工作情况,基于课题组前面的工作,对耗尽电荷和电容模型进行扩展和优化.研究结果表明,耗尽电荷模型具有更好的光滑性;耗尽电容模型为纵向耗尽与横向耗尽电容的串联,考虑了不同电流流动面积,与常规器件相比,SOI器件全耗尽工作模式下表现出更小的集电结耗尽电容,因此更大的正向Early电压;在纵向工作模式到横向工作模式转变的电压偏置点,耗尽电荷和电容的变化趋势发生改变.SOI薄膜上纵向SiGe HBT集电结耗尽电荷和电容模型的建立和扩
%K depletion capacitance
%K SiGe HBT
%K SOI<br>耗尽电容
%K SiGe
%K HBT
%K SOI
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=7FB288757ED284A0CDABE607FA18448C&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=708DD6B15D2464E8&sid=69230D42A5EF8564&eid=69230D42A5EF8564&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=12