%0 Journal Article
%T Electron mobility of strained Si/(001)Si1- x Ge x<br>应变Si/(001)Si1-xGex电子迁移率
%A Wang Xiao-Yan
%A Zhang He-Ming
%A Song Jian-Jun
%A Ma Jian-Li
%A Wang Guan-Yu
%A An Jiu-Hua
%A <br>王晓艳
%A 张鹤鸣
%A 宋建军
%A 马建立
%A 王冠宇
%A 安久华
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si1-xGex的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ2能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变Si NMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方
%K subband occupancy
%K scattering model
%K germanium constituent
%K electron mobility<br>电子谷间占有率
%K 散射模型
%K 锗组分
%K 电子迁移率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=27C14E609A3E452CB46A6D4E5C214D23&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=F8256C62C5F43A3F&eid=F8256C62C5F43A3F&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=15