%0 Journal Article
%T Electrical and optical properties of Cu-Al-O thin films sputtered using non-stoichiometric target<br>非化学计量比靶材溅射制备Cu-Al-O薄膜的光学电学性质研究
%A Pan Jia-Qi
%A Zhu Chen-Quan
%A Li Yu-Ren
%A Lan Wei
%A Su Qing
%A Liu Xue-Qin
%A Xie Er-Qing
%A <br>潘佳奇
%A 朱承泉
%A 李育仁
%A 兰伟
%A 苏庆
%A 刘雪芹
%A 谢二庆
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 考虑到铜铝溅射速率的差别,使用铜铝比例为0.9 ∶1的多晶CuAlO2靶材,用射频磁控溅射法制备Cu-Al-O薄膜.研究不同衬底温度对薄膜光学电学性能的影响.在衬底温度500 ℃附近,薄膜在可见光范围内具有很好的透光性,达到70%,计算拟合得到直接帯隙为3.52 eV,与CuAlO2相的理论值符合较好.在室温附近,薄膜导电符合半导体热激活机理,在衬底温度为500 ℃附近薄膜电导率达到2.48×10-3 S·cm-1.
%K Cu-Al-O thin films
%K substrate temperature
%K conductivity
%K transmittance<br>Cu-Al-O
%K 衬底温度
%K 透过率
%K 电导率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=7FB288757ED284A07F05FFB6F5F6A1B6&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=708DD6B15D2464E8&sid=1DE6F40D5482CC9A&eid=1DE6F40D5482CC9A&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=20