%0 Journal Article
%T Fabrication and characterization of Bi-Sb-Te based thin film thermoelectric generator prepared by ion beam sputtering deposition<br>Bi-Sb-Te基热电薄膜温差电池离子束溅射制备与表征
%A Fan Ping
%A Cai Zhao-Kun
%A Zheng Zhuang-Hao
%A Zhang Dong-Ping
%A Cai Xing-Min
%A Chen Tian-Bao
%A <br>范平
%A 蔡兆坤
%A 郑壮豪
%A 张东平
%A 蔡兴民
%A 陈天宝
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 本文采用离子束溅射Bi/Te和Sb/Te二元复合靶,直接制备n型Bi2Te3热电薄膜和p型Sb2Te3热电薄膜.在退火时间同为1h的条件下,对所制备的Bi2Te3薄膜和Sb2Te3薄膜进行不同温度的退火处理,并对其热电性能进行表征.结果表明,在退火温度为150℃时,制备的n型Bi2Te3热电薄膜的Seebeck系数最大,为-148μVK-1,功率因子也达到最大,为0.893×10-3Wm-1K-2;在退火温度为200℃时,制备的p型的Sb2Te3热电薄膜的Seebeck系数为＋117μVK-1,功率因子达到最大,为0.797×10-3Wm-1K-2.因此,本文分别选取了150℃退火温度下制备的Bi2Te3薄膜和退火温度为200℃下制备的Sb2Te3薄膜作为薄膜温差单体电池的p型和n型薄膜层.结果表明,在冷热端温差为50K的条件下,薄膜温差单体电池的输出电压为15.26mV,最大的输出功率为0.129μW.
%K thin film thermoelectric generation
%K Bi2Te3 thin film
%K Sb2Te3 thin film
%K ion beam sputtering<br>薄膜温差电池
%K Sb2Te3薄膜
%K Bi2Te3薄膜
%K 离子束溅射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F437B1BF01E7F48609FEF060886327C1&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=7E27E603B9A71031&eid=899402189E6E145E&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=18