%0 Journal Article
%T γ-AlON晶体电子结构和光学性质研究
%A 潘磊
%A 卢铁城
%A 苏锐
%A 王跃忠
%A 齐建起
%A 付佳
%A 张燚
%A 贺端威
%J 物理学报
%D 2012
%I 
%X 本研究在基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)框架下, 采用局域密度近似(LDA)和赝势平面波方法, 计算了平衡结构尖晶石型γ -AlON的态密度和光学性质参数．结合表征电子结构的态密度, 分析了γ -AlON在0—30 eV范围内的复介电函数以及由其导出的折射率、反射谱、 吸收谱等．理论计算得出: γ -AlON零频介电常数ε1(0)=2.60, 折射率n0=1.61, 在红外到近紫外以及20.23 eV以上的紫外波段,其光吸收趋近于零, 表现为光学透明. 理论计算结果与相关实验数据相一致, 为γ -AlON在光学窗口及头罩材料等方面的应用提供了理论依据和参考.
%K γ
%K -AlON
%K 第一性原理
%K 电子结构
%K 光学性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=4C92C33EB4B06FC5F125B123BFEF0323&yid=99E9153A83D4CB11&vid=1D0FA33DA02ABACD&iid=0B39A22176CE99FB&sid=CC92C7A7E2B3204D&eid=CC92C7A7E2B3204D&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=22