%0 Journal Article
%T The n-type conduction and microstructural properties of phosphorus ion implanted nanocrystalline diamond films<br>磷离子注入纳米金刚石薄膜的n型导电性能与微结构研究
%A Hu Xiao-Jun
%A Hu Heng
%A Chen Xiao-Hu
%A Xu Bei
%A <br>胡晓君
%A 胡衡
%A 陈小虎
%A 许贝
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 系统研究了磷离子注入并在不同温度退火后的纳米金刚石薄膜的微结构和电学性能.研究表明,当退火温度达到800℃以上时,薄膜呈良好的n型电导.Raman光谱和电子顺磁共振谱的结果表明,薄膜中金刚石相含量越高和完整性越好,薄膜电阻率越低.这说明纳米金刚石晶粒为薄膜提供了电导.1000℃退火后,薄膜晶界中的非晶石墨相有序度提高,碳悬键数量降低,薄膜电阻率升高.薄膜导电机理为磷离子注入的纳米金刚石晶粒提供了n型电导,非晶碳晶界为其电导提供了传输路径.
%K nanocrystalline diamond films
%K n-type
%K phosphorus ion implantation<br>纳米金刚石薄膜
%K n型
%K 磷离子注入
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=E13A5442FC2870772DA395A65C1C2BAC&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=B31275AF3241DB2D&sid=66A6FC45D7D59804&eid=66A6FC45D7D59804&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=36