%0 Journal Article
%T Effects of Ni-assisted annealing on p-type contact resistivity of GaN-based LED films grown on Si(111) substrates<br>牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究
%A Wang Guang-Xu
%A Tao Xi-Xi
%A Xiong Chuan-Bing
%A Liu Jun-Lin
%A Feng Fei-Fei
%A Zhang Meng
%A Jiang Feng-Yi
%A <br>王光绪
%A 陶喜霞
%A 熊传兵
%A 刘军林
%A 封飞飞
%A 张萌
%A 江风益
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2 ∶O2=4 ∶1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖层之后制备Pt/p-GaN欧姆接触层.实验结果表明:退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜p型欧姆接触有重要影响,Ni覆盖退火能够显著降低p型层中Mg受主的激活温度.经牺牲Ni退火后,p型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律,随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变
%K GaN
%K LED
%K Ni-assisted annealing
%K ohmic contact<br>氮化镓
%K 发光二极管
%K 牺牲Ni退火
%K p型接触
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=27C14E609A3E452C93F64EBA3763AFF6&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=43B9497156ABA714&eid=43B9497156ABA714&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=31