%0 Journal Article
%T p-ZnO thin film/n-Si heterojunction light-emitting diode fabricated by chemical vapor deposition and its characterization<br>CVD法制备p-ZnO薄膜/n-Si异质结发光二极管及其性能研究
%A Feng Qiu-Ju
%A Jiang Jun-Yan
%A Tang Kai
%A Lü
%A Jia-Yin
%A Liu Yang
%A Li Rong
%A Guo Hui-Ying
%A Xu Kun
%A Song Zhe
%A Li Meng-Ke
%A <br>冯秋菊
%A 蒋俊岩
%A 唐凯
%A 吕佳音
%A 刘洋
%A 李荣
%A 郭慧颖
%A 徐坤
%A 宋哲
%A 李梦轲
%J 物理学报
%D 2013
%I 
%X 利用简单的化学气相沉积方法, 首先在n-Si衬底上生长Sb掺杂p-ZnO薄膜, 并在此基础上制作了p-ZnO/n-Si异质结发光二极管．对制备的Sb掺杂ZnO薄膜 在800 ℃下进行了热退火处理, 发现退火后样品的晶体质量和表面形貌都得到明显提高, 并且薄膜呈现的电导类型为p型, 载流子浓度为9.56× 1017 cm-3. 此外, 该器件还表现出良好的整流特性, 正向开启电压为4.0 V, 反向击穿电压为9.5 V. 在正向45 mA的注入电流条件下, 器件实现了室温下的电致发光. 这说明较高质量的ZnO薄膜也可以通过简单的化学气相沉积方法来实现, 这为ZnO基光电器件的材料制备提供了一种简单可行的方法.
%K CVD
%K p-ZnO
%K heterojunction
%K electroluminescence<br>CVD
%K p-ZnO
%K 异质结
%K 电致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=164B9414955546437ADB2804A9EB8D40&yid=FF7AA908D58E97FA&iid=94C357A881DFC066&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0