%0 Journal Article
%T Investigation of the lateral spread of Er ions implanted in 6H-SiC<br>铒离子注入6H-SiC的横向离散研究
%A Qin Xi-Feng
%A Wang Feng-Xiang
%A Liang Yi
%A Fu Gang
%A Zhao You-Mei
%A <br>秦希峰
%A 王凤翔
%A 梁毅
%A 付刚
%A 赵优美
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散规律等是很重要的.用400 keV能量的铒(Er)离子分别与样品表面法线方向成0°,45°和 60°倾角注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015 cm-2 的400 keV Er离子注入6H-SiC晶体的横向离散.测出的实验值与TRIM98和SRIM 2006得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM98和SRIM
%K ion implantation
%K 6H-SiC
%K Rutherford backscattering technique
%K lateral spread<br>离子注入
%K 6H-SiC
%K 卢瑟福背散射技术
%K 横向离散
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=87851EBEDFA9353249263C07DFC2EDC2&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=21AAA4E23DC19D78&eid=1FF3140252B29BB1&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=20