%0 Journal Article
%T GaN grown on AlN/sapphire templates<br>AlN/蓝宝石模板上生长的GaN研究
%A Wang Lai
%A Wang Lei
%A Ren Fan
%A Zhao Wei
%A Wang Jia-Xing
%A Hu Jian-Nan
%A Zhang Chen
%A Hao Zhi-Biao
%A Luo Yi
%A <br>汪莱
%A 王磊
%A 任凡
%A 赵维
%A 王嘉星
%A 胡健楠
%A 张辰
%A 郝智彪
%A 罗毅
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 研究了在分子束外延制备的AlN/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和原子力显微镜研究了AlN模板的晶体质量和表面相貌对GaN的影响.结果表明,当AlN的表面粗糙度较小时,尽管AlN模板的位错密度较高((102)面XRD ω扫描半高全宽900—1500 arcsec),但生长得到的GaN依然具有和在蓝宝石衬底上采用"二步法"生长的GaN可比拟的晶体质量((002)面XRD ω扫描半高全宽200—30
%K GaN
%K AlN
%K metal organic vapor phase epitaxy<br>氮化镓
%K 氮化铝
%K 金属有机物化学气相外延
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=7C99B681FF317C80562C538C5136C121&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=708DD6B15D2464E8&sid=58CCBF6B6B5DD460&eid=2551F8D3922D23CE&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=21