%0 Journal Article
%T Dual-gate-material-based device design for unipolar metal oxide semiconductor-like carbon nanotube field effect transistors<br>一种基于双栅材料的单极性类金属氧化物半导体碳纳米管场效应管设计方法
%A Zhou Hai-Liang
%A Zhang Min-Xuan
%A Fang Liang
%A <br>周海亮
%A 张民选
%A 方粮
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 由于导电沟道-源/漏电极界面处可能发生的载流子带间隧穿,传统类金属氧化物半导体(MOS)碳纳米管场效应管呈现双极性传输特性,极大影响了器件性能的提高及其在电路中的应用.为获得具有理想单极性传输特性的类MOS碳纳米管场效应管,本文提出了一种基于双栅材料的器件设计方法.模拟结果表明,通过合理选取调节电极材料,在不影响器件亚阈值斜率的同时,该设计方法不仅能使开关电流比增大6—9个数量级,有效调节阈值范围,而且能有效消除传统类MOS碳纳米管场效应管的双极性传输特性.进一步研究表明,该设计所获得的器件性能提高与调节
%K dual gate material
%K carbon nanotube-field effect transistors
%K band to band tunneling
%K ambipolar transport<br>双栅材料
%K 碳纳米管场效应管
%K 带间隧穿
%K 双极性传输
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=3D8B6AF9B8E97177BDA52D576294D24D&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=2D4BA9F59DE3DBAB&eid=3CDE102F5FD1CC56&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=38