%0 Journal Article
%T Surface morphology of GaN bombarded by highly charged 126Xeq+ ions<br>高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究
%A Zhang Li-Qing
%A Zhang Chong-Hong
%A Yang Yi-Tao
%A Yao Cun-Feng
%A Sun You-Mei
%A Li Bing-Sheng
%A Zhao Zhi-Ming
%A Song Shu-Jian
%A <br>张丽卿
%A 张崇宏
%A 杨义涛
%A 姚存峰
%A 孙友梅
%A 李炳生
%A 赵志明
%A 宋书建
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 用不同电荷态的126Xeq+离子（9≤q≤30）在室温下轰击GaN晶体表面，经原子力显微镜分析表明，当q>18，辐照区域由隆起转为显著的刻蚀.被轰击后的GaN晶体表面形貌主要取决于入射离子的电荷态.同时，样品表面形貌还与入射离子的剂量和入射角有关；在实验参数范围，与入射离子的初动能没有明显关系（180 keV≤Ek≤600 keV）.当入射离子的电荷态q=18，与样品表面法线成60°角倾斜入射和垂直表面入射时，样品的表面几乎没有变化，只是倾斜入射后有很微小的隆起；当q＜18时，样品表面膨胀隆起，粗糙度增强，倾斜入射时表面隆起比垂直入射时更明显，而且都有清晰的峰状分界区；当q＞18时，样品表面被蚀刻呈凹陷状，有明显的齿状刻痕，且侵蚀深度与离子剂量近似呈线性关系，倾斜入射时的刻蚀深度大于垂直入射时的刻蚀深度.
%K highly charged ion
%K GaN
%K atomic force microscopy
%K surface morphology<br>高电荷态离子，
%K GaN晶体，
%K 原子力显微镜，
%K 表面形貌
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=DAC0D11F71CF3CC420D4FA6EDD0F489C&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=5D311CA918CA9A03&sid=FECBAF1C1F190481&eid=DCFC00E503FE0C24&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0