%0 Journal Article
%T Frist principles study of effect of high Al doping concentration of p-type ZnO on electric conductivity performance<br>Al高掺杂浓度对ZnO导电性能影响的第一性原理研究
%A Hou Qing-Yu
%A Zhao Chun-Wang
%A Li Ji-Jun
%A Wang Gang
%A <br>侯清玉
%A 赵春旺
%A 李继军
%A 王钢
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在同等环境条件下,建立了未掺杂和三种不同浓度的Al原子取代Zn原子的Zn1-xAlxO模型,然后分别对模型进行了几何结构优化、总态密度分布和能带分布的计算.结果表明:ZnO高掺杂Al的条件下,随掺杂Al原子浓度增大,进入导带的电子增多,电子迁移率减小,电导率减小,导电性能减弱;但是随高掺杂Al的浓度减小,反而使电子迁移率增大,电导率增大,导电性能增强.计算得到的结果与实验中Al原子
%K Al heavily doped in ZnO
%K conductivity
%K concentration
%K first principle<br>Al高掺ZnO
%K 电导率
%K 浓度
%K 第一性原理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=E3D5D32535ABE138A1B8CF3DB58AF7DC&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=E158A972A605785F&sid=2497388423811B81&eid=1FA4E9C3E6E88FC8&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=21