%0 Journal Article
%T GaN/AlGaN dual-band infrared detection and photon frequency upconversion<br>GaN/AlGaN双带红外探测及光子频率上转换研究
%A Zhou Li-Gang
%A Shen Wen-Zhong
%A <br>周利刚
%A 沈文忠
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 研究了GaN/AlGaN异质结构中的双带（中、远）红外探测及光子频率上转换特性.通过光致发光光谱确认GaN/AlGaN探测器结构中AlGaN本征层的Al组分，讨论了不同Al组分GaN/AlGaN异质结的导带带阶界面功函数差.在拟合单周期GaN/AlGaN探测器中红外和远红外波段响应谱的基础上，研究多周期GaN/AlGaN探测器与GaN/AlGaN发光二极管集成结构的中红外和远红外光子频率上转换效率与GaN发射层厚度、AlGaN本征层厚度、紫光光子出射效率、内量子效率、空间频率和发射层掺杂浓度间的关系，优化
%K dual-band infrared detection
%K photon frequency upconversion
%K responsivity
%K GaN/AlGaN<br>双带红外探测，
%K 光子频率上转换，
%K 响应谱，
%K GaN/AlGaN
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=40D80FA764E91C01355868EE218C59A7&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=FF28B7AEAD559DA1&eid=7D531A0D645A33D3&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0