%0 Journal Article
%T Effect of oxygen vacancy defect on the magnetic properties of Co-doped ZnO diluted magnetic semiconductor<br>氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响
%A Chen Jing
%A Jin Guo-Jun
%A Ma Yu-Qiang
%A <br>陈静
%A 金国钧
%A 马余强
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 从实验和理论上阐述了氧空位对Co掺杂ZnO半导体磁性能的影响.采用磁控溅射法在不同的氧分压下制备了Zn095Co005O薄膜，研究了氧分压对薄膜磁性能的影响.实验结果表明，高真空条件下制备的Zn095Co005O薄膜具有室温铁磁性，提高氧分压后制备的薄膜铁磁性逐渐消失.第一性原理计算表明，在Co掺杂ZnO体系中引入氧空位有利于降低铁磁态的能量，铁磁态的稳定性与氧空位和Co之间的距离密切相关.
%K Co-doped ZnO
%K diluted magnetic semiconductor
%K first-principles calculation
%K oxygen vacancy defect<br>Co掺杂ZnO，
%K 稀磁半导体，
%K 第一性原理计算，
%K 氧空位缺陷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=79237F13587567ED05C48C30AF2242BE&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=E158A972A605785F&sid=6ADBE1BF799045B2&eid=B0CE66E50238735E&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0