%0 Journal Article
%T Influence of high-temperature AlN interlayer on the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructure and HEMTs<br>高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料和HEMTs器件电学特性的影响
%A Ni Jin-Yu
%A Hao Yue
%A Zhang Jin-Cheng
%A Duan Huan-Tao
%A Zhang Jin-Feng
%A <br>倪金玉
%A 郝跃
%A 张进成
%A 段焕涛
%A 张金风
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 研究了在GaN缓冲层中插入40 nm厚高温AlN层的GaN外延层和AlGaN/GaN异质结材料, AlN插入层可以增加GaN层的面内压应力并提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的电学特性. 在精确测量布拉格衍射角的基础上定量计算了压应力的大小. 增加的压应力一方面通过增强GaN层的压电极化电场, 提高了AlGaN/GaN异质结二维电子气（2DEG）面密度, 另一方面使AlGaN势垒层对2DEG面密度产生的两方面影响相互抵消. 同时, 这种AlN插入层的采用降低了GaN与AlGaN层之间的
%K AlN interlayer
%K AlGaN/GaN heterostructure
%K two-dimensional electron gas
%K stress<br>高温AlN插入层
%K AlGaN/GaN异质结
%K 二维电子气
%K 应力
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=176B3AC2E7676451DEA9483A5FEC7FCF&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=E3310682068BDC6D&eid=0A56E2B22091452A&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0