%0 Journal Article
%T Densities of states of strained Si in different crystal systems<br>不同晶系应变Si状态密度研究
%A Song Jian-Jun
%A Zhang He-Ming
%A Dai Xian-Ying
%A Xuan Rong-Xi
%A Hu Hui-Yong
%A Wang Guan-Yu
%A <br>宋建军
%A 张鹤鸣
%A 戴显英
%A 宣荣喜
%A 胡辉勇
%A 王冠宇
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 应变Si技术是当前微电子领域研究发展重点,态密度是其材料的重要物理参量.本文基于应力相关KP理论,建立了(001),(101)和(111)晶面施加双轴应力形成的四方、单斜及三角晶系应变Si导带、价带态密度模型.结果表明,除单斜和三角晶系导带底态密度外,应力对其余各态密度均有显著影响.本文所得模型数据量化,可为应变Si材料物理的理解及其他物理参数模型的建立奠定重要理论基础.
%K strained Si
%K KP
%K density of state<br>应变Si
%K KP
%K 态密度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=948198D7E3C55C2062E89F5F9BFDC703&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=E158A972A605785F&sid=39E48869A719B9DE&eid=57EA20F731155703&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=13