%0 Journal Article
%T The divacancy-defect effect of armchair graphene nanoribbons<br>扶手椅型石墨纳米带的双空位缺陷效应研究
%A Ouyang Fang-Ping
%A Wang Xiao-Jun
%A Zhang Hu
%A Xiao Jin
%A Chen Ling-Na
%A Xu Hui
%A <br>欧阳方平
%A 王晓军
%A 张华
%A 肖金
%A 陈灵娜
%A 徐慧
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用基于密度泛函理论的第一性原理电子结构和输运性质计算，研究了扶手椅型石墨纳米带（具有锯齿边缘）的双空位缺陷效应.研究发现：双空位缺陷的存在并没有改变石墨纳米带的金属特性，但改变了费米面附近的能带结构.同时，双空位缺陷的取向对石墨纳米带的输运性质有很重要的影响.对于奇数宽度的纳米带，斜向双空位缺陷使得石墨带导电性能减弱，而垂直双空位能基本保留原有的线性伏安特性，导电性能降低较少；对于偶数宽度的纳米带，斜向双空位缺陷会使石墨带导电性能明显增强，而垂直双空位缺陷则具有完整石墨带的输运性质.
%K graphene nanoribbons
%K 585 divacancies defects
%K electronic structure
%K transport properties<br>石墨纳米带，
%K 585双空位缺陷，
%K 电子结构，
%K 输运性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=33006AB29A5FB600513EB5F979A34131&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=5D311CA918CA9A03&sid=64E364EB217DB729&eid=4F527CFBB4111F33&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0