%0 Journal Article
%T Growth behavior of ZnO nanoparticles formed on Zn implanted Si(001) combined with thermal oxidation<br>离子注入Zn的Si(001)基片热氧化制备纳米ZnO团簇及其生长行为研究
%A Fu Wei-Ji
%A Liu Zhi-Wen
%A Liu Ming
%A Mu Zong-Xin
%A Zhang Qing-Yu
%A Guan Qing-Feng
%A Chen Kang-Min
%A <br>付伟佳
%A 刘志文
%A 刘明
%A 牟宗信
%A 张庆瑜
%A 关庆丰
%A 陈康敏
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用离子注入技术将Zn离子注入Si（001）基片，并在大气环境下加热氧化制备了ZnO纳米团簇.利用电子探针、薄膜X射线衍射仪、原子力显微镜和透射电子显微镜，对注入和热氧化后的薄膜成分、表面形貌和微观结构进行表征，探讨了热氧化温度以及注入剂量对纳米ZnO团簇的成核过程及生长行为的影响.结果表明，Zn离子注入到Si基片表面后形成了Zn纳米团簇，热氧化过程中Zn离子向表面扩散，在表面SiO2非晶层和Si基片多晶区的界面处形成纳米团簇.热氧化温度是影响ZnO纳米团簇结晶质量的一个重要参数.随着热氧化温度的升高，金属Zn的衍射峰强度逐渐变弱并消失，而ZnO的（101）衍射峰强度逐渐增强.当热氧化温度高于800 ℃以后，ZnO与SiO2之间开始发生化学反应形成Zn2SiO4.
%K ZnO纳米团簇，
%K 离子注入，
%K 微观结构，
%K 形貌分析
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F2BBFF130180689C6F82EAEDBE4DC73A&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=5D311CA918CA9A03&sid=450B761342C7794A&eid=ADE03A823669CD24&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0