%0 Journal Article
%T Fabrication and characterization of In-doped zinc oxide nanoarrays<br>掺铟氧化锌纳米阵列的制备、结构及性质研究
%A Li Hui-Feng
%A Huang Yun-Hu
%A Zhang Yue
%A Gao Xiang-Xi
%A Zhao Jing
%A Wang Jian
%A <br>李会峰
%A 黄运华
%A 张跃
%A 高祥熙
%A 赵婧
%A 王建
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 通过碳热辅助化学气相沉积法，用Au做催化剂在850℃下制备了铟掺杂的氧化锌（In/ZnO）纳米阵列.纳米棒的尺寸均匀，表面光滑，直径约为400 nm，长为2—3 μm.能量色散谱和X射线光电子能谱分析表明, 六棱柱状的纳米阵列中成功地进行了In 的掺杂，含量约为08%.室温光致发光谱显示掺杂后的紫外发射峰位有红移,峰的半高宽变大, 没有观察到绿光发射峰位.拉曼光谱显示出ZnO的峰位有不同程度的偏移，并且有新的峰位出现，这表明In的掺杂有效地取代了部分Zn的晶格.
%K In-doped ZnO
%K nanoarrays
%K photoluminescence
%K Raman<br>In掺杂，
%K ZnO，
%K 纳米阵列，
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=4CB6142D28639A978F72AD8B70BA9CDD&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=E158A972A605785F&sid=05FD3A2801CC52CD&eid=BB703EC25776CE9E&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0