%0 Journal Article
%T Influence of annealing on the microstructure and electrochemical properties of B-doped nanocrystalline diamond films<br>退火对B掺杂纳米金刚石薄膜微结构和电化学性能的影响
%A Pan Jin-Ping
%A Hu Xiao-Jun
%A Lu Li-Ping
%A Yin Chi
%A <br>潘金平
%A 胡晓君
%A 陆利平
%A 印迟
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 采用热丝化学气相沉积法制备B掺杂纳米金刚石薄膜,并对薄膜进行真空退火处理,系统研究了不同退火温度对B掺杂纳米金刚石薄膜的微结构和电化学性能的影响.结果表明,当退火温度升高到800 ℃后,薄膜的Raman谱图中由未退火时在1157,1346,1470,1555 cm-1处的4个峰转变为只有D峰和G峰,说明晶界上的氢大量解吸附量减少;并且D峰和G峰的积分强度比ID/IG值变为最小,即sp2相团簇
%K boron-doped nanocrystalline diamond films
%K microstructure
%K electrochemical properties<br>B掺杂纳米金刚石薄膜
%K 微结构
%K 电化学性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=AAAEE1BF02C1DB1531F486BED036EA84&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=F46875088411DED4&eid=47D994287598B618&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=27