%0 Journal Article
%T Research on electronic process of impulse degradation of ZnO-based ceramics<br>ZnO压敏陶瓷冲击老化的电子陷阱过程研究
%A Yin Gui-Lai
%A Li Jian-Ying
%A Yao Guang
%A Cheng Peng-Fei
%A Li Sheng-Tao
%A <br>尹桂来
%A 李建英
%A 尧广
%A 成鹏飞
%A 李盛涛
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 使用8/20 μs脉冲电流发生器对普通商用ZnO陶瓷压敏电阻片进行了最多5000次的冲击试验.测量了冲击前后试样的电气性能和介电特性,分析了冲击后小电流区的U-I特性和损耗角正切值tanδ随脉冲大电流的不断作用而发生的变化.实验发现压敏电压U1mA随冲击次数的增加经历增大—稳定—减小三个过程.认为正反偏Schottky势垒的中性费米能级的变化是影响样品小电流区的最根本原因.本文提出用试样的非线性系数α作为老化特征参数比传统的U
%K ZnO varistor ceramics
%K non-linear coefficient
%K implused degradation
%K varistor voltage<br>ZnO压敏陶瓷
%K 非线性系数
%K 冲击老化
%K 压敏电压
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=CA2172E20B366971CC1A6A013C8B938C&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=D98255C015281A09&eid=3578AFF1C45AB977&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=13