%0 Journal Article
%T Mechanism of three kink effects in irradiated partially-depleted SOINMOSFET's<br>总剂量辐照条件下部分耗尽半导体氧化物绝缘层N沟道金属氧化物半导体器件的三种kink效应
%A Zhuo Qing-Qing
%A Liu Hong-Xia
%A Peng Li
%A Yang Zhao-Nian
%A Cai Hui-Min
%A <br>卓青青
%A 刘红侠
%A 彭里
%A 杨兆年
%A 蔡惠民
%J 物理学报
%D 2013
%I 
%X 研究了0.8 μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50 rad (Si)/s的60Co γ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势. 研究结果表明, 经过制造工艺和版图的优化设计, 在不同剂量条件下, 该样品均不产生线性区kink效应. 由碰撞电离引起的kink效应, 出现显著变化的漏极电压随总剂量水平的提高不断增大. 在高剂量辐照条件下, 背栅ID-VSUB曲线中出现异常的"kink"现象, 这是由辐照诱生的顶层硅膜/埋氧层之间的界面陷阱电荷导致的.
%K total dose effect
%K kink
%K impact ionization
%K back-gate anomalous transconductance<br>总剂量效应
%K kink效应
%K 碰撞电离
%K 背栅异常跨导
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=96293AEB9294B34D94A9F3AABFCA1141&yid=FF7AA908D58E97FA&iid=38B194292C032A66&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0