%0 Journal Article
%T Design and fabrication of multilayer antireflection coating for optoelectronic devices by plasma enhanced chemical vapor deposition<br>基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作
%A Yuan He
%A Sun Chang-Zheng
%A Xu Jian-Ming
%A Wu Qing
%A Xiong Bing
%A Luo Yi
%A <br>袁贺
%A 孙长征
%A 徐建明
%A 武庆
%A 熊兵
%A 罗毅
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiNx折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO2/SiNx材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设计了四层SiO2/SiNx抗反膜结构,能够在70 nm的波长范围内实现低于10-4的反射率
%K antireflection (AR) coating
%K plasma enhanced chemical vapor deposition
%K SiO2/SiN<>i>x<br>抗反膜
%K 等离子体增强化学气相沉积
%K 二氧化硅/氮化硅多层膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=4EDF0FFE034D8509CB1C0EBBD50325E6&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=2250283EC4B66C58&eid=E3CC78A520352DF3&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=11