%0 Journal Article
%T Effect of size-dependent elastic constants on electrical properties of strain silicon nanowires<br>尺寸相关的弹性常数对应变硅纳米线电学性质的影响
%A Zhang Jia-Hong
%A Gu Fang
%A Liu Qing-Quan
%A Gu Bin
%A Li Min
%A <br>张加宏
%A 顾芳
%A 刘清惓
%A 顾斌
%A 李敏
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 从Keating模型出发,基于离散化思想建立了计算单晶硅纳米线弹性常数和杨氏模量的半连续原子晶格力学模型. 从微扰理论和形变势理论出发,采用有限差分方法建立了计算不同晶向应变硅纳米线价带结构的数值模型. 结合上述的两个计算模型,进而应用经典弹道传输模型研究了轴向应力和弹性常数对p型硅纳米线弹道晶体管电学特性的影响. 研究结果表明,硅纳米线的弹性常数和杨氏模量呈现尺寸效应,该结果与分子动力学的模拟结果具有很好的一致性. 同时发现尺寸相关的弹性常数对硅纳米线晶体管输运电流的影响强烈依赖于单轴应力对输运电流的影
%K strain silicon nanowire
%K elastic constant
%K ballistic current
%K valence-band structure model<br>应变硅纳米线
%K 弹性常数
%K 弹道电流
%K 价带结构模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=9B3A27CD2824FF17CEB9A3AF6D921C10&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=B31275AF3241DB2D&sid=8B57A4327A1F4FC8&eid=BC8B02A90D5C9E23&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=29