%0 Journal Article
%T Slow highly charged ions induced electron emission from clean Si surfaces<br>反冲原子对低速离子轰击Si表面时电子发射产额的影响
%A Wang Jian-Guo
%A Xu Zhong-Feng
%A Zhao Yong-Tao
%A Wang Yu-Yu
%A Li De-Hui
%A Zhao Di
%A Xiao Guo-Qing
%A <br>王建国
%A 徐忠锋
%A 赵永涛
%A 王瑜玉
%A 李德慧
%A 赵迪
%A 肖国青
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源高电荷态原子物理实验平台上,用低能(0.75keV/u≤EP/MP≤10.5keV/u,即3.8×105 m/s≤vP≤1.42×106 m/s) He2+,O2+和Ne2+离子束正入射到自清洁Si表面时二次电子发射产额的实验结果.结果表明电子发
%K slow highly charged ions
%K electron emission
%K recoil atom
%K stopping power<br>低速高电荷态离子
%K 电子发射
%K 反冲原子
%K 阻止能损
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=4BFAFA295D568B06FF3083D5045BA3E9&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=708DD6B15D2464E8&sid=CAD55769EE003895&eid=242C753922E74929&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=25