%0 Journal Article
%T Threshold voltage analytical model for strained Si SOI MOSFET with high-k dielectric<br>高k栅介质应变Si SOI MOSFET的阈值电压解析模型
%A Li Jin
%A Liu Hong-Xia
%A Li Bin
%A Cao Lei
%A Yuan Bo
%A <br>李劲
%A 刘红侠
%A 李斌
%A 曹磊
%A 袁博
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 在结合应变Si,高k栅和SOI结构三者的优点的基础上,提出了一种新型的高k栅介质应变Si全耗尽SOI MOSFET结构.通过求解二维泊松方程建立了该新结构的二维阈值电压模型,在该模型中考虑了影响阈值电压的主要参数.分析了阈值电压与弛豫层中的Ge组分、应变Si层厚度的关系.研究结果表明阈值电压随弛豫层中Ge组分的提高和应变Si层的厚度增加而降低.此外,还分析了阈值电压与高k栅介质的介电常数和应变Si层的掺杂浓度的关系.研究结果表明阈值电压随高k介质的介
%K 应变Si
%K 高k栅
%K 短沟道效应
%K 漏致势垒降低
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=A2D5EFF27428408D4A2600BFB89DE13C&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=708DD6B15D2464E8&sid=B12BF41237F68D2B&eid=8AD10D1E2AF065FC&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=14