%0 Journal Article
%T Study of ZnS thin films prepared by RF magnetron sputtering technique<br>射频磁控溅射法制备ZnS多晶薄膜及其性质
%A Xie Jing
%A Li Bing
%A Li Yuan-Jie
%A Yan Pu
%A Feng Liang-Huan
%A Cai Ya-Ping
%A Zheng Jia-Gui
%A Zhang Jing-Quan
%A Li Wei
%A Wu Li-Li
%A Lei Zhi
%A Zeng Guang-Gen
%A <br>谢婧
%A 黎兵
%A 李愿杰
%A 颜璞
%A 冯良桓
%A 蔡亚平
%A 郑家贵
%A 张静全
%A 李卫
%A 武莉莉
%A 雷智
%A 曾广根
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 实验采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了ZnS多晶薄膜,研究了沉积气压、退火温度和衬底温度对ZnS薄膜质量的影响.利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构,并计算了内应力值.通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了Urbach能量和禁带宽度.利用扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌.结果表明: 衬底温度为室温时沉积的ZnS薄膜具有较大的压应力,并且内应力值随着工作气压增大而增大,在300 ℃下进行退火处理后内应力松弛,衬底温度为350 ℃时制备的ZnS薄膜内应力小,透过率高,经300 ℃退火处理后结晶质量有所提高.
%K ZnS thin film
%K radio frequence magnetron sputtering
%K stress<br>ZnS薄膜
%K 射频磁控溅射
%K 内应力
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=672268161AA443673BB30094564A442F&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=5D311CA918CA9A03&sid=D6D097541AB17E11&eid=0B6AE625B978218E&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=19