%0 Journal Article
%T Growth and character stics of AlGaN/GaN HEMT structures with AlN/GaN superlattices as barrier layers<br>使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构
%A Ding Guo-Jian
%A Guo Li-Wei
%A Xing Zhi-Gang
%A Chen Yao
%A Xu Pei-Qiang
%A Jia Hai-Qiang
%A Zhou Jun-Ming
%A Chen Hong
%A <br>丁国建
%A 郭丽伟
%A 邢志刚
%A 陈耀
%A 徐培强
%A 贾海强
%A 周均铭
%A 陈弘
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251 Ω/□的薄层电阻.
%K AlGaN/GaN heterostructure
%K AlN/GaN superlattices
%K two dimensional electron gas
%K high electron mobility transistor<br>AlGaN/GaN
%K 结构
%K AlN/GaN超晶格
%K 二维电子气
%K 高电子迁移率晶体管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F22415C1D67F1E0290D0782B9293019E&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=5D311CA918CA9A03&sid=BF3034BD9899A28F&eid=AEA2BA65B1F4C0BB&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=25