%0 Journal Article
%T The improvement on total ionizing dose (TID) effects of the ultra-deep submicron MOSFET featuring delta doping profiles<br>超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善
%A Wang Si-Hao
%A Lu Qing
%A Wang Wen-Hu
%A An Xia
%A Huang Ru
%A <br>王思浩
%A 鲁庆
%A 王文华
%A 安霞
%A 黄如
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 析了沟道中超陡倒掺杂和均匀掺杂两种情况下超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性，主要比较了两种掺杂分布的器件在辐照情况下的泄漏电流与阈值电压的退化特性.结果表明，在辐照剂量<500krad情况下，超陡倒掺杂器件的泄漏电流比均匀掺杂器件的泄漏电流低2—3个量级；而在辐照剂量>500 krad情况下，由于器件俘获的空穴量饱和，超陡倒掺杂的改善没有那么明显.但超陡倒掺杂的阈值电压漂移量比均匀掺杂的情况小约40 mV.超陡倒掺杂有利于改善器件的总剂量辐照特性.文中还给出了用于改善器件辐照特性的超陡倒掺杂分布的优化设
%K TID effects
%K delta doping
%K leakage current
%K radiation hardeness<br>总剂量效应，
%K 超陡倒掺杂，
%K 泄漏电流，
%K 抗辐射加固.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F06DBDCB62644BE5A339716C1C13A038&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=38B194292C032A66&sid=77EAE2F82592C167&eid=64CE2972A4410367&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=20