%0 Journal Article
%T Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array<br>静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究
%A Gao Bo
%A Yu Xue-Feng
%A Ren Di-Yuan
%A Li Yu-Dong
%A Cui Jiang-Wei
%A Li Mao-Shun
%A Li Ming
%A Wang Yi-Yuan
%A <br>高博
%A 余学峰
%A 任迪远
%A 李豫东
%A 崔江维
%A 李茂顺
%A 李明
%A 王义元
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 本文从FPGA器件内部最基本的CMOS单元出发,分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系,进而研究Altera SRAM型FPGA器件60Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应.实验结果表明:由于场氧漏电和结构漏电的影响,随着累积剂量的增加输出波形发生畸变,峰峰值变为原来的十分之一左右,但输出波形还有相对的高低电平;同时,输出高电平不能保持原有的状态,迅速地向低电平转换,并且转换速度随着累积剂量的增加而加快,输出低电平相对初始值有一定程度抬高;由于栅氧厚度变薄,输出波形
%K 60Coγ
%K 总剂量辐射损伤效应
%K SRAM型FPGA
%K CMOS单元
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=68A456518012F3225ABFDAE1A3B32D07&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=38B194292C032A66&sid=854AA05083072193&eid=5319469C819FCFF1&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=17