%0 Journal Article
%T Growths of InAs/GaAs and InAs/Inx Ga1-xAs/GaAs nanowire heterostructures<br>InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究
%A Ye Xian
%A Huang Hui
%A Ren Xiao-Min
%A Guo Jing-Wei
%A Huang Yong-Qing
%A Wang Qi
%A Zhang Xia
%A <br>叶显
%A 黄辉
%A 任晓敏
%A 郭经纬
%A 黄永清
%A 王琦
%A 张霞
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有InxGa1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/InxGa1-xAs/GaAs三段式纳米线异质结构在轴向上串接生长而形成双异质结构.通过插入三元化合物InxGa1-xAs渐变缓冲段可以有效的克服界面能差异和晶格失配带来的负面影响,提高纳米线的晶体质量和生长可控性.
%K nanowire heterostructure
%K In x Ga1-xAs
%K buffer segment
%K metal organic chemical vapor deposition<br>纳米线异质结构
%K InxGa1-xAs
%K 组分渐变缓冲层
%K 金属有机化学气相沉淀法
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=E510E59CF2559BBAB6F8E28CE8C9FCF8&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=38B194292C032A66&sid=4FBC175348AE6079&eid=BA48F0B914ED890A&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=21