%0 Journal Article
%T Threshold voltage analytic model for strained SiGe-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor<br>应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型
%A Liu Hong-Xia
%A Yin Xiang-Kun
%A Liu Bing-Jie
%A Hao Yue
%A <br>刘红侠
%A 尹湘坤
%A 刘冰洁
%A 郝跃
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET内部电势分布的二维泊松方程,通过边界条件求解方程,得出了准确的阈值电压模型,并且验证了该模型的正确性.
%K strained silicon
%K SiGe-on-insulator
%K p-channel metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor
%K threshold voltage analytic model<br>应变硅
%K 绝缘层上硅锗
%K p型金属氧化物场效应晶体管
%K 阈值电压解析模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=22D4B989C7E32281B3D170CC88CA4BA5&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=59906B3B2830C2C5&sid=3689B7EA3DCF4470&eid=E1C33C7A8B9DCBEF&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=14