%0 Journal Article
%T Effects of substrate resistivity and interface defect density on performance of solar cell with silicon heterojunctions<br>界面缺陷态密度与衬底电阻率取值对硅异质结光伏电池性能的影响
%A Zhou Jun
%A Di Ming-Dong
%A Sun Tie-Tun
%A Sun Yong-Tang
%A Wang Hao
%A <br>周骏
%A 邸明东
%A 孙铁囤
%A 孙永堂
%A 汪昊
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 在异质结前界面缺陷态密度Dit1和异质结背界面缺陷态密度Dit2均取不同值时, 对p型单晶硅(c-Si(p))为衬底的硅异质结太阳电池的衬底电阻率ρ与电池性能的关系进行了数值研究.结果表明:衬底电阻率的最优值ρop取决于前界面缺陷态密度Dit1,且ρop随着Dit1的增大而增大;当ρ>ρop时, 背界面缺陷态密度Dit2对衬底电阻率的可取值范围具有较大影响,Dit2越大衬底电阻率的可取值范围越小.
%K Si heterojunctions solar cell
%K substrate resistivity
%K defects on the interface of c-Si(p)/a-Si:H<br>硅异质结太阳电池
%K 衬底电阻率
%K c-Si(p)/a-Si:H界面缺陷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=C98C2AEEFC93AEB1E539F20F1BBA8D39&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=59906B3B2830C2C5&sid=98BC1DA651C8BC21&eid=AF134587E104D1F8&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=21