%0 Journal Article
%T rf excited optical emission spectrum of radicals generated during hot wire chemical vapour deposition for the preparation of microcrystalline silicon thin film<br>射频激发热丝化学气相沉积制备硅薄膜过程中光发射谱的研究
%A Li Tian-Wei
%A Liu Feng-Zhen
%A Zhu Mei-Fang
%A <br>李天微
%A 刘丰珍
%A 朱美芳
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 采用射频(rf)激发,在热丝化学气相沉积(HWCVD)制备微晶硅薄膜的过程中产生发光基元,测量了rf激发HWCVD (rf-HWCVD)的光发射谱,比较了相同工艺条件下rf-HWCVD和等离子体增强CVD(PECVD)的光发射谱,分析了rf功率、热丝温度和沉积气压对rf-HWCVD光发射谱的影响.结果表明,在射频功率<0.1W/cm2时,rf-HWCVD发射光谱反映了HWCVD高的气体分解效率和高浓度原子氢的特点,能够解释气压变化与微晶硅薄膜微结构的关系,是研究HWCVD气相过程的有
%K HWCVD
%K OES
%K microcrystalline silicon<br>HWCVD
%K OES
%K 微晶硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=C67628B9196EF3F94932C5723B372CC0&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=B0CB4ECE031CEB8B&eid=B0CB4ECE031CEB8B&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=21