%0 Journal Article
%T Total dose characteristics of single poly EEPROM and SONOS EEPROM on SOI<br>基于SOI技术的单层多晶EEPROM和SONOS EEPROM抗总剂量辐照特性研究
%A Xiao Zhi-Qiang
%A Li Lei-Lei
%A Zhang Bo
%A Xu Jing
%A Chen Zheng-Cai
%A <br>肖志强
%A 李蕾蕾
%A 张波
%A 徐静
%A 陈正才
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 在自行研发的0.8μm SOI工艺平台上开发了基于SOI技术的单层多晶硅EEPROM(electrically erasable programmable read only memory)和SONOS(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon)EEPROM,并进行了抗总剂量辐照实验研究,分析了各种EEPROM结构在抗总剂量辐照下的失效机理.结果表明基于SOI技术的SONOS EEPROM具有良好的抗总剂量辐照性能,为抗辐照EEPROM电路中的存储单元结构选取提供了依据.
%K electrically ersable programmable read only memory
%K silicon on insulator silicon-oxide-nitride-oxide-silicon
%K radiation
%K floating gate<br>EEPROM
%K SOISONOS
%K 辐照
%K 浮栅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=323F4D5B9EDCCAF24263F9474EDD90C1&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=60D83F6D1A844410&eid=60D83F6D1A844410&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=18