%0 Journal Article
%T Bipolaron mechanism of DX center in AlxGa1-xAs:Si<br>AlxGa1-xAs:Si 中DX中心的双极化子机制及统计分析
%A Li Wei-Feng
%A Liang Ying-Xin
%A Jin Yong
%A Wei Jian-Hua
%A <br>李维峰
%A 梁迎新
%A 金勇
%A 魏建华
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 基于极化子和双极化子的物理图像,采用无拟合参数的巨正则统计方法计算了Si掺杂的AlxGa1-xAs的导带载流子浓度,计算得到的理论结果从高温到低温都与实验结果定量一致.计算证实了AlxGa1-xAs:Si中的DX中心的基态DX-是电子-晶格相互作用产生的负电双极化子. 处于热平衡状态时,施主Si在AlxGa1-xAs中除了电离状态,处于不同晶格构型的单、双极化子态共存,低温时双极化子态被冻结;光照下发生持续光电导时,双极化子态变成单极化子态同时向导带释放一个电子,此过程伴随着进一步的晶格弛豫.理论与实验的对照说明单电子局域的DX0态在热平衡时并不能稳定存在,这和提出的双极化子机制是完全一致的.
%K DX center
%K bipolarons
%K freezing<br>DX中心
%K 双极化子
%K 冻结
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=DFC952297D4E8B6094EEB495CBF16005&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=59906B3B2830C2C5&sid=3D45BCDF7CFAE64E&eid=4747B00DCB0B2469&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=22