%0 Journal Article
%T Effects of optimized contact scheme on the performance of high-power GaN-based light-emitting diodes<br>电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响
%A Zhang Jian-Ming
%A Zou De-Shu
%A Xu Chen
%A Gu Xiao-Ling
%A Shen Guang-Di
%A <br>张剑铭
%A 邹德恕
%A 徐晨
%A 顾晓玲
%A 沈光地
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 在台面结构的GaN基发光二极管(LED)里，电流要侧向传输，当尺寸与电流密度加大之后，由于n型GaN层和下限制层的横向电阻不能忽略，造成了横向电流分布不均匀.通过优化电极结构，以减小电流横向传输距离，制作出两种不同电极结构的大功率GaN基倒装LED.通过比较这两种不同电极结构的GaN基倒装大功率LED的电、光性能，发现在350mA正向电流下，插指电极结构的倒装大功率GaN基LED的正向电压为3.35V，比环形插指电极结构的倒装大功率GaN基LED高0.15V.尽管环形插指电极结构GaN基LED的发光面积略小于插指电极结构GaN基LED，但在大电流下，环形插指电极结构倒装GaN基LED的光输出功率比插指电极结构的倒装大功率LED的光输出功率大.并且在大电流下，环形插指电极结构的倒装大功率LED光输出功率饱和速度慢，而插指电极结构的倒装大功率LED光输出功率饱和明显.这说明优化电极结构能提高电流扩展均匀性，减小焦耳热的产生，改善GaN基LED的性能.
%K GaN<br>发光二极管
%K 电极结构
%K 大功率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=C6C61822F835C01B&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=414D799335C8AA63&eid=EB5B0CE2E46D0180&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=13