%0 Journal Article
%T The transport property of two dimensional electron gas in AlGaN/AlN/GaN structure<br>AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性
%A Zhou Zhong-Tang
%A Guo Li-Wei
%A Xing Zhi-Gang
%A Ding Guo-Jian
%A Tan Chang-Lin
%A Lü Li
%A Liu Jian
%A Liu Xin-Yu
%A Jia Hai-Qiang
%A Chen Hong
%A Zhou Jun-Ming
%A <br>周忠堂
%A 郭丽伟
%A 邢志刚
%A 丁国建
%A 谭长林
%A 吕力
%A 刘建
%A 刘新宇
%A 贾海强
%A 陈弘
%A 周均铭
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 对使用金属有机物汽相沉积法生长的AlGaN/AlN/GaN结构进行的变温霍尔测量，测量结果指出在AlN/GaN界面处有二维电子气存在且迁移率和浓度在2K时分别达到了1.4×104cm2·V-1·s-1和9.3×1012cm-2，且在200K到2K范围内二维电子气的浓度基本不变，变磁场霍尔测量发现只有一种载流子(电子)参与导电.在2K温度下，观察到量子霍尔效应，Shubnikov-de Haas (SdH) 振荡在磁场约为3T时出现，证明了此结构呈现了典型的二维电子气行为.通过实验数据对二维电子气散射过程的半定量分析，推出量子散射时间为0.23ps，比以往报道的AlGaN/GaN结构中的散射时间长，说明引入AlN层可以有效减小合金散射，进一步的推断分析发现低温下以小角度散射占主导地位.
%K AlGaN/AlN/GaN structure
%K two dimensional electron gas
%K Shubnikov-de Haas oscillation
%K high electron mobility transistor<br>AlGaN/AlN/GaN结构
%K 二维电子气
%K Shubnikov-de
%K Haas振荡
%K 高电子迁移率晶体管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=E29FEB61D8570D7E&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=F5FDA00935234387&eid=29ECF608D14ABF7D&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=23