%0 Journal Article
%T Two-step growth of ZnO films deposited by reactive radio-frequency magnetron sputtering on Si(001) substrate<br>Si(001)基片上反应射频磁控溅射 ZnO薄膜的两步生长方法
%A Gu Jian-Feng
%A Liu Zhi-Wen
%A Liu Ming
%A Fu Wei-Jia
%A Ma Chun-Yu
%A Zhang Qing-Yu
%A <br>谷建峰
%A 刘志文
%A 刘明
%A 付伟佳
%A 马春雨
%A 张庆瑜
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 利用反应射频磁控溅射技术，采用两步生长方法制备了ZnO薄膜，探讨了基片刻蚀时间和低温过渡层沉积时间对ZnO薄膜生长行为的影响.研究结果表明，低温ZnO过渡层的沉积时间所导致的薄膜表面形貌的变化与过渡层在Si(001)表面的覆盖度有关.当低温过渡层尚未完全覆盖基片表面时，ZnO薄膜的表面岛尺度较小、表面粗糙度较大，薄膜应力较大；当低温过渡层完全覆盖Si(001)基片后，ZnO薄膜的表面岛尺度较大、表面粗糙度较小，薄膜应力较小.基片刻蚀时间对薄膜表面形貌的影响与低温过渡层的成核密度有关.随着刻蚀时间的增加，ZnO薄膜的表面粗糙度逐渐下降，表面形貌自仿射结构的关联长度逐渐减小.
%K nO film
%K reactive radio-frequency magnetron sputtering
%K two-step growth
%K morphological analysis<br>ZnO薄膜
%K 反应射频磁控溅射
%K 两步生长
%K 形貌分析
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=EF0C9431F609CCFA&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=E158A972A605785F&sid=D0540156A5D11138&eid=BB80B3A8BBC58235&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=20