%0 Journal Article
%T Zirconium-ion implantation of zircaloy-4 investiged by slow positron beam<br>锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究
%A Hao Xiao-Peng
%A Wang Bao-Yi
%A Yu Run-Sheng
%A Wei Long
%A <br>郝小鹏
%A 王宝义
%A 于润升
%A 魏龙
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 采用慢正电子束多普勒展宽谱研究了Zr离子注入Zr-4合金产生的缺陷及其退火回复行为，发现经过大于离子注入剂量为1×1016cm-2的样品所产生的缺陷在注入过程中已经回复，而对剂量为1×1015cm-2样品做300℃退火处理，其缺陷基本回复，得出合金缺陷回复能较低的结论. 考虑到材料的缺陷含量越高，其抗腐蚀性能越差，在辐照环境下通过给材料保持一定温度，即可使其缺陷得到较好回复，从而提高材料的抗腐蚀性能.
%K zirconium-ion implantation
%K slow positron beam
%K defect<br>锆离子注入
%K 慢正电子束
%K 缺陷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=1A7F80CA21754FB4743A6D63C8088A0E&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=708DD6B15D2464E8&sid=F8BFE54F1A2B293C&eid=36F256EC740577A4&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=8