%0 Journal Article
%T Effect of thickness of epitaxial PbZr0.4Ti0.6O3 film on the physical properties<br>外延PbZr0.4Ti0.6O3薄膜厚度对其铁电性能的影响
%A Wang Ying-Long
%A Wei Tong-Ru
%A Liu Bao-Ting
%A Deng Ze-Chao
%A <br>王英龙
%A 魏同茹
%A 刘保亭
%A 邓泽超
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 从Landau-Devonshire唯象理论出发,考虑到晶格失配导致的位错应力场与极化场的耦合,研究了在SrTiO3衬底上外延生长的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜厚度对其自发极化强度、电滞回线的影响.结果表明,产生位错的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜临界厚度为～1.27nm,当薄膜厚度大于临界厚度时,在所形成的位错附近,极化强度出现急剧变化,形成自发极化强度明显减弱的“死层”;随着薄膜厚度的减小,位错间距增大,“死层”厚度与薄膜总厚度之比增加.由薄膜电滞回线的变化情况可知,其剩余极化强度随着薄膜厚度的减小而逐渐减小.
%K ferroelectric thin film
%K spontaneous polarization
%K hysteresis loop
%K dislocation<br>铁电薄膜
%K 自发极化强度
%K 电滞回线
%K 位错
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=42038E4AD6797416&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=94C357A881DFC066&sid=1860C81D5DA29ACB&eid=8ADA938592665B56&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=2&reference_num=22